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檢測技術(shù)

MEYM-II 智能電導(dǎo)鹽密度測試儀相關(guān)術(shù)語

來源:鹽密度    更新時間:2018-05-04

MEYM-II 智能電導(dǎo)鹽密度測試儀相關(guān)術(shù)語
1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
   XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),通常7~9片組成一串用來測量現(xiàn)場污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
   在兩個導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的zui短距離。
   注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,則該部分應(yīng)認為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)
   絕緣子的爬電距離與其兩端承擔的zui高運行電壓(對于交流系統(tǒng),為zui高相電壓)之比,mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)
   人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)上氯化鈉總量除以表面積,mg/cm2。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)
   絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,mg/cm2。
6、不溶物密度(簡稱灰密) non soluble deposit density(NSDD)
   絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,mg/cm2。
7、現(xiàn)場等值鹽度 site equivalent salinity(SES)
   根據(jù)GB/T 4585進行鹽霧試驗時的鹽度。用該鹽度試驗,在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場污穢度 site pollution severity(SPS)
   在適當?shù)臅r間段內(nèi)測量到的污穢嚴重程度ESDD/NSDD或SES的zui大值。
9、現(xiàn)場污穢度等級 site pollution severity class
   將污穢嚴重程度從非常輕到非常嚴重按SPS的分級。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
   同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD(SES)值與非帶電所測ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般為1.1~1.5。


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